人間通訊社

　　三星電子11月6日在首爾新羅酒店以各企業相關人員為對象舉行「2012年三星存儲晶片處理CIO研討會」。三星電子表示，10月成功利用25納米工藝批量生產了市場主力產品4Gb DDR3 DRAM。納米工藝是晶片生產過程中使用的高新微精工藝，數位越小，晶片生產率就越高或晶片性能越好。
　　
　　其間三星電子主要利用30至40納米級工藝生產DRAM。公司方面表示，計畫明年大力增加被命名為「第四代綠色存儲晶片」的25納米工藝存儲晶片生產量。
　　
　　三星電子表示，使用第四代綠色存儲晶片，比目前在市場銷售的40納米級DRAM或HDD基礎系統，處理速度高6倍以上，電力可節省20至60%。三星電子計畫明年把第四代綠色存儲晶片作為主力產品進行生產。
　　
　　業界預測，存儲晶片市場今年觸底，明年將重新回升。市場調查企業高德納諮詢公司(Gartner)預測，今年世界DRAM市場規模比去年減少了4%，而明年將比今年增長9%以上。該公司又說，明年世界nand快閃記憶體市場有望增長23.1%。目前三星電子在世界DRAM市場佔有率為39.4%，排名首位，nand快閃記憶體市場佔有率為42.5%，也是首位。
　　

資料來源：韓國朝鮮日報 / 人間社記者 依恩 提供